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時間：102年4月24日(星期三)，08：30 ~ 16：00。
地點：臺大醫院國際會議中心301會議室 (台北市中正區徐州路2 號)。
主辦單位：臺大醫學院、臺大工學院醫學工程學研究所
報名：報名截止日為4月22日，請洽詢：(02) 8752-6666 分機932 王小姐、934
杜小姐。
在資訊與技術瞬息萬變的時代，生醫工程技術的研究領域不斷地拓展創新。過去，我們藉由高分子(Polymer)、陶磁(Ceramic)及金屬(Metal)衍生醫用材料來做為手術固定、植入補強、生物相容性佳和易加工可拋棄式生醫材料，為人類醫療健康帶來相當的增進。然而，接下來更佳創新的發展將結合了生醫材料、細胞工程及分子生物訊息之整合性技術應用開發已成為各工業先進國家大力推動之科技重點。
生醫材料中微粒本身型態的分散、黏度或流變特性的改變，對於手術加工、降緩解性、生物吸收等…皆有相當影響；而以實驗方式量測材料之分散穩定性、黏彈特性響應或流動曲線，先一步預知材料的分散性、安定性和加工性質等…，更能加速功能性產品開發速度、提升品質、增加良率，在醫療上貢獻一份心力。
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日期 |
演講者 |
服務單位 |
題目 |
地點 |
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4月17日
(12:30) |
蔡綽芳 博士 |
日本東京大學工學 |
巨災後的社會重構：無顯著社會差異中的重建格差現象解析 |
工綜313室 |
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4月17日
(14:00) |
曾景濱 博士/助理教授 |
樹德科技大學建築與室內設計研究所 |
再思考地方性空間的設計素材 |
工綜313室 |
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4月22日
(10:10-12:10) |
呂福興 博士/教授 |
中興材料系 |
Air-based
sputtering deposition of nitride, oxynitride,
and N-doped oxide thin films |
工綜B03室 |
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4月22日
(14:20) |
張晃猷 教授兼系主任 |
清大醫學科學系 |
另行公布 |
工綜203室 |
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4月23日
(14:20) |
陳國神 教授 |
中國浙江醫學科學院 |
Research
Advances of Chinese
Herb Qian Ceng Ta(千层塔)：A
Novel Promising Drug for
Alzheimer’s Disease |
醫學院基礎醫學大樓301講堂 |
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4月26日
(14:20) |
何麗貞 協理 |
聚合國際 |
另行公布 |
共同教室403室 |
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4月29日
(10:10-12:10) |
黃嘉彥 博士 |
台積固態照明股份有限公司磊晶技術開發部主任工程師 |
Nitride-based
semipolar (20-2-1)light-emitting diodes and
laser diodes |
工綜B03室 |
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4月29日
(14:20) |
劉益宏 教授 |
中原機械系 |
另行公布 |
工綜203室 |
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4月30日
(14:20) |
鄭國順 教授 |
成功大學生物醫學工程系 |
Introduction
to ORANGED
Technology |
醫學院基礎醫學大樓301講堂 |
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5月3日
(14:20) |
Prof. Kang,
En-Tang |
新加坡大學 |
另行公布 |
共同教室403室 |
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5月6日
(14:20) |
馮國華 教授 |
中正機械系 |
另行公布 |
工綜B03室 |
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5月10日
(14:20) |
曾勝茂 博士 |
紡織產業綜合研究所 |
另行公布 |
共同教室403室 |
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5月13日
(10:10-12:10) |
翁明壽 博士 |
東華大學材料系教授 |
Preparation
and characterization of multifunctional thin
films of vapor-deposited titanium oxides and
related materials |
工綜B03室 |
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5月13日
(14:20) |
謝曉星 講座教授 |
中山機械與機電工程學系 |
另行公布 |
工綜203室 |
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臺大新任校長當選人楊泮池教授於4月8日假工學院會議室舉行「新任校長座談會」
，座談會先由顏院長簡報工學院概況並提出院務推展所遭遇之困難，請學校給予協助：1.
館舍興建募款，請給予正面協助而非負面障礙；2.
後續邁頂計畫，請支持工學院針對優勢領域成立研究中心；3.
因應本國博士生減少，請考慮增加優秀外籍博士生獎助；4.
針對論文發表未達頂尖且非年輕新進教師，請考慮給予適當研究補助。接著與會工學院教授亦提出一些建議，楊校長回應未來將盡量配合，並表示以後若有問題可隨時到辦公室或e-mail給他。
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工學院從全院教師中遴選並推薦送校27名教學優良教師。優良教師獎項更可進一部分為兩個類別:「教學傑出獎」以及「教學優良獎」；前者比例佔院內教師1%的名額，而後者則佔9%。經過了一番激烈的競爭以及嚴苛的評選結果，終於誕生了最終推薦名單。對每一位受推薦者而言，這是一項不容置疑的莫大殊榮以及鼓勵。透過此獎勵制度可發現，教學品質逐步提升且持續進步。
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教學傑出獎3位
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土木系 |
賴勇成 |
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機械系 |
林沛群 |
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化工系 |
王勝仕 |
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教學優良獎24位 |
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土木系 |
廖文正 |
工科系 |
王昭男 |
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土木系 |
李天浩 |
工科所 |
吳文中 |
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土木所 |
韓仁毓 |
材料系 |
薛人愷 |
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土木所 |
許添本 |
材料所 |
溫政彥 |
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機械系 |
伍次寅 |
環工所 |
吳先琪 |
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機械系 |
蕭浩明 |
應力所 |
胡文聰 |
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機械系 |
施文彬 |
應力所 |
劉佩玲 |
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機械所 |
賴君亮 |
建城所 |
王志弘 |
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機械所 |
陳復國 |
工工所 |
洪一薰 |
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化工系 |
王大銘 |
醫工所 |
黃義侑 |
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化工系 |
林祥泰 |
醫工所 |
林頌然 |
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化工所 |
徐振哲 |
高分子所 |
童世煌 |
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102年1-3月工學院教師生日餐會已於102年3月28日舉行，由顏院長、莊副院長與陳副院長主持，參加生日餐會的教授有土木系楊德良教授；機械系楊申語教授、陳達仁教授、楊鏡堂教授；化工系吳紀聖教授、童國倫教授；工科海洋系張恆華教授；材料系楊哲人教授、林招松教授、郭錦龍教授；應力所舒貽忠教授；工業工程所周雍強教授與高分子所童世煌教授、劉定宇教授。 |
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1 |
土木系蔡克銓教授榮獲2013年俄羅斯工程院通訊院士。 |
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2 |
土木系劉楨業客座教授榮獲2013年俄羅斯工程院院士。 |
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3 |
建城所夏鑄九教授獲選為臺大名譽教授。 |
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4 |
土木系陳榮河教授（郭國振、簡瑋男）等3位榮獲101年度大地工程優良論文獎，論文題目："FAILURE
MECHANISM OF GRANULAR SOIL SLOPES UNDER HIGH
INTENSITY RAINFALLS." |
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5 |
機械系方偉峰博士榮獲行政院國科會101年度博士後研究人員學術著作獎。 |
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工學院教師近期獲得之發明專利證書：
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系所 |
教師 |
研究成果 |
專利證書 |
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土木系 |
康仕仲教授 |
表面檢測裝置 |
美國發明專利證書 |
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儀器購置年月：2008年4月
廠牌及型號：Lambaba Solution , Inc.； P2 型
重要規格：1. 雷射光源：含532nm 綠光
2. Low S/N. But high frequency resolution.
3. Raman / PL
特殊附件：顯微鏡
儀器性能：測量樣品之拉曼光譜，適用絕大部份樣品（包含固態、液
態）。
負責教授：吳紀聖教授（cswu@ntu.edu.tw）
，儀器管理員：王毓傑先
生，TEL：(02)3366-3056，E-MAIL：D99524015@ntu.edu.tw。
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（為了促進院內老師對相互研究領域的了解，增加未來合作機會，工學院簡訊每期邀請大約3∼5位相近領域教授提供最近發表論文摘要刊登。如果您有研究成果願意與大家分享，亦隨時竭誠歡迎來稿。）
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記憶體元件中，依斷電後(移除外在電場)資料存在與否可區分為揮發性(volatile)或非揮發性(nonvolatile)記憶體兩大類。若材料為揮發性記憶體，當移除外加電場時，其電荷記憶狀態若隨即會消失而回到絕緣的狀態，則為動態隨機存取記憶體(Dynamic
Random Access Memory, DRAM)。此類記憶體必須週期性地動態刷新，否則儲存單元將會因放電而失去記憶的數據。若為非揮發性記憶體，即使移除外加電場，其電荷記憶狀態依舊可以維持長時間，若其儲存資料無法將之改變或移除，則為WORM
(write-once-read-many-times)記憶體，若可以多次重複儲存與移除資料，則為快閃(flash)記憶體。記憶體元件結構包括電容式、電阻式與電晶體式結構，本論文即是利用奈米材料解決當前電晶體式高分子記憶體元件的瓶頸:(1)
元件穩定性差；(2)
介電漏電問題，造成資料儲存時間縮短；(3)
多層結構的繁複製程；（4）電荷儲存容量小。此外本論文亦首次研究半導體主動層之奈米結構形態以及載子特性對於記憶特性之影響。
本研究為現有文獻中第一個研究探討N型有機奈米導線應用於非揮發性薄膜電晶體記憶元件，藉由製備出不同尺寸N,N'-bis(2-phenylethyl)-perylene-3,4:9,10
-tetracarboxylic diimide (BPE-PTCDI)奈米導線，並探討奈米線尺寸形態、基材表面修飾官能基以及親疏水特性對記憶體元件特性之影響，藉由控制溶液中的溶劑
(o –dichlorobenzene) /非溶劑
(methanol)混合比例以調控N型奈米導線之直徑與長度，如圖一，例如當非溶劑比例由20 vol.%
提昇至90 vol.% 時，奈米線直徑由900 nm 降低至200 nm，長度則由95 mm縮短至4
mm，研究並發現當奈米導線的直徑減少時，由於其缺陷減少，其XRD結果顯示有機半導體材料之結晶性會有顯著增加，因而將其電子傳導率(electron
mobility)提高兩到三個數量級，且隨著直徑減少，當較小尺寸之奈米導線會受到較大的電場影響，其元件記憶能力大幅提昇，例如記憶視窗於未修飾表面可達51
V遠大於 BPE-PTCDI薄膜之5 V，這顯示導入奈米結構之優勢。此外，此BPE-PTCDI奈米導線製備在疏水性含苯環phenyl
-ltrichloro(phenyl)silane之自組裝單分子層表面上，其記憶視窗範圍可進一步增加至78
V，如圖二及三。此N型奈米導線元件擁有非揮發性記憶體元件特性、高電流開關比（2.1×104）以及長期操作穩定性(於在大氣及氮氣環境下可於長期操作下得近似電性表現)
，因此將具有商業化應用潛力。（陳文章教授
chenwc@ntu.edu.tw
提供）
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圖一. (a) Chemical structure of BPE-PTCDI. (b)
UV-vis absorption spectra of BPE-PTCDI in
solution, thin-film, and nanowire. (c) SEM
image of the BPE-PTCDI nanowires induced by
adding 60 vol% methanol non-solvent. (d)
Variation of average diameters and lengths
of the BPE-PTCDI nanowires with non-solvent
composition. |
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圖二. Schematic structure of the BPE-PTCDI
nanowire based OFET memory device. |
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圖三. Variation of the memory windows with the
nanowire diameter on the BPE-PTCDI OFET
memory devices on different surface-treated
substrates. |
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奈米銀粒子以其殺菌效果著名，但其抗菌效力與粒子尺寸及分佈狀態有關。此篇研究中，我們使用完全剝落型黏土—奈米矽片(NSP)作為奈米銀粒子的分散劑與載體，以合成兩種不同重量比(1/99和8/92)之AgNPs/NSP奈米複合物(圖一(a))。由於NSP尺寸關係，使得被固定的奈米銀粒子不容易進入細胞，這可能會降低細胞因攝取奈米粒子所導致的風險。我們亦針對AgNPs/NSP奈米複合物評估其生物相容性、免疫反應及抗菌活性，其結果顯示AgNPs/NSP奈米複合物僅會引起輕微的發炎反應，並保留良好的抗菌效果。此複合物進一步混摻聚醚型聚胺酯(PEU)高分子中以增進其生物相容性。在相同的銀含量(20
ppm)下，PEU-AgNPs/NSP高分子奈米複合材料對於小鼠皮膚纖維母細胞是無毒的，此材料同時顯現幾乎百分百之抑菌性(99.9
%)(圖一(b))，這是因為奈米銀粒子在矽片上均勻分散造成(圖一(c)；含有相同濃度奈米銀粒子之PEU複合材料則無此一效果。各種高分子複合材料表面微相分離的現象也各不相同，可由原子力顯微鏡(AFM)相圖得知(圖二)。我們的結果驗證了AgNPs/NSP奈米複合物與其高分子奈米複合材料未來應在臨床上的生物安全性。（徐善慧教授
shhsu@ntu.edu.tw
提供）
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圖一
(a)
利用化學還原法製備銀奈米粒子於NSP上；(b)
NSP、AgNPs，以及重量比1/99
AgNPs/NSP與8/92
AgNPs/NSP的奈米複合物對於大腸桿菌於不同暴露時間下的抗菌活性檢測，其濃度以總重量為基礎。經過24小時培養後其抗菌效率結果如下：AgNP
/ NSP 1/99 99.9 %; AgNP / NSP 8/92 98.8 %;
物理製備之AgNPs
73.6 %，(c)
AgNP / NSP 1/99之TEM圖。 |
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圖二 聚醚型聚胺酯(PEU)-Ag奈米高分子複合材料之表面原子力顯微鏡(AFM)相圖。在PEU-AgNP/NSP
1/99、PEUAgNP/
NSP 8/92中銀濃度為20
ppm，而在PEU-AgNPs中則為15
ppm。 |
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高分子太陽能電池(polymer
solar cell, PSC)因具有低成本、可大面積製造和可撓性的優點而備受矚目。有機p-n
異質接面型太陽能電池目前常用的
p
型材料為聚
3-己烷基噻吩
(poly (3-hexylthiophene), P3HT)
聚合物半導體；而n
型材料則為苯基-C61
丁酸甲酯
(phenyl-C61-butyric acid methylester, PC61BM)。聚噻吩系列衍生物在有機光伏特電池領域被廣泛的研究，但良好的給電子能力使得材料在大氣環境下容易氧化。加深材料的HOMO值能提高穩定度外，在固定N型材料為PC61BM的條件下，P型高分子的HOMO能階較低，也可以得到較佳的開路電壓值
(open-circuit
voltage, Voc)。本研究將聚噻吩主鏈上導入未取代共軛單元噻吩
(thiophene, T)
或雙噻吩
(bithiophene, BT)，並比較不同推電子能力之共軛側基三級丁基
(tert-butyl, t)
取代三苯胺
(triphenylamine, TPA)與咔唑
(carbazole, Cz)，得到一系列聚噻吩衍生物含共軛側鏈PTtTPA、PBTtTPA、PTtCz及PBTtCz
(如圖一)。主鏈上共軛單元T和BT的導入，有效降低剛硬側鏈的立體障礙，使主鏈的平面性增加，有效共軛從側鏈成功延伸至主鏈。共軛高分子的能隙也隨主鏈上共軛單元的延長而下降。因為共軛側鏈到主鏈有效的電子傳遞作用，能成功利用不同氧化能力的芳香胺來調整聚噻吩衍生物的氧化電位。結果顯示共軛側鏈含tTPA比tCz更能使材料能隙下降，而提高短路電流。而含tCz共軛側鏈之高分子比tTPA有更低的氧化電位，製備成太陽能電池元件後有較高的Voc。此系列聚噻吩衍生物製備成PSC的Voc為0.70-0.74
(V)，皆比以P3HT/PC61BM為PSC之Voc
(ca. 0.6 V)
優越。（鄭如忠教授
rujong@ntu.edu.tw 提供）
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圖一、 聚噻吩衍生物含共軛側鏈於高分子太陽能電池之應用 |
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